ИGBT

IGBT (изолированные биполярные транзисторы) представляют собой многослойные полупроводниковые устройства с тремя клеммами, способные обрабатывать высокие токи и обладающие быстрым переключением. Они характеризуются типом, напряжением прорыва коллектора-излучателя, током коллектора, током импульсного коллектора, VCE (включение), энергией переключения и зарядом порта.