Тип | Описание |
---|---|
Категория | FETs, MOSFETs |
Производитель | Diodes Incorporated |
Серия | - |
Состояние продукции | Занятый. |
Упаковочные материалы | Кассеты и свитки (TR) |
Упаковка / ящик | 3-UFDFN |
Тип установки | Поверхностная установка |
Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
FET Type | N-Channel |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100mA (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 100mA, 4V |
FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 470mW (Ta) |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Пакеты оборудования для поставщиков | X1-DFN1006-3 |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4V |
Vgs (Max) | ±20V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.45 nC @ 4.5 V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 32 pF @ 25 V |
Свойства | Описание |
---|---|
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant |
Чувствительность к воде (MSL) | 1 (Unlimited) |
Состояние REACH | Reach unaffected |
ЕЭК | EAR99 |
Безопасность | 8541.21.0095 |
Количество | Стоимость единицы | Общая стоимость |
---|---|---|
3000 | $0.09545 | $286.35 |
6000 | $0.09014 | $540.84 |
15000 | $0.08219 | $1232.85 |
30000 | $0.07689 | $2306.7 |
75000 | $0.06893 | $5169.75 |
150000 | $0.06628 | $9942 |
Минимальное количество заказов:3000 |