| Тип | Описание |
|---|---|
| Категория | FETs, MOSFETs |
| Производитель | Diodes Incorporated |
| Серия | - |
| Состояние продукции | Obsolete |
| Упаковочные материалы | Кассеты и свитки (TR) |
| Упаковка / ящик | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Тип установки | Поверхностная установка |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Power - Max | 1.19W |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A, 6A |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1276pF @ 15V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 9.5A, 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30.6nC @ 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Пакеты оборудования для поставщиков | 8-SO |
| Свойства | Описание |
|---|---|
| Состояние RoHS | ROHS3 Compliant |
| Чувствительность к воде (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Состояние REACH | Reach unaffected |
| ЕЭК | EAR99 |
| Безопасность | 8541.29.0095 |
