Тип | Описание |
---|---|
Категория | FETs, MOSFETs |
Производитель | EPC Space, LLC |
Серия | e-GaN® |
Состояние продукции | Занятый. |
Упаковочные материалы | Большинство |
Упаковка / ящик | 4-SMD, No Lead |
Тип установки | Поверхностная установка |
Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
FET Type | N-Channel |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 18A, 5V |
FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | - |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 3mA |
Пакеты оборудования для поставщиков | 4-SMD |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
Vgs (Max) | +6V, -4V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.4 nC @ 5 V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 525 pF @ 100 V |
Свойства | Описание |
---|---|
Состояние RoHS | unknown |
Чувствительность к воде (MSL) | 1 (Unlimited) |
Состояние REACH | Reach unknown |
ЕЭК | IN PROGRESS |
Безопасность | 0000.00.0000 |
Количество | Стоимость единицы | Общая стоимость |
---|---|---|
1 | $316.8 | $316.8 |
10 | $296.722 | $2967.22 |
Минимальное количество заказов:1 |