.jpg)
| Тип | Описание |
|---|---|
| Категория | FETs, MOSFETs |
| Производитель | EPC Space, LLC |
| Серия | e-GaN® |
| Состояние продукции | Занятый. |
| Упаковочные материалы | Большинство |
| Упаковка / ящик | 4-SMD, No Lead |
| Тип установки | Поверхностная установка |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| FET Type | N-Channel |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 580mOhm @ 1A, 5V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 140µA |
| Пакеты оборудования для поставщиков | 4-SMD |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Vgs (Max) | +7V, -4V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 22 pF @ 30 V |
| Свойства | Описание |
|---|---|
| Состояние RoHS | unknown |
| Чувствительность к воде (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Состояние REACH | Reach unknown |
| ЕЭК | IN PROGRESS |
| Безопасность | 0000.00.0000 |
| Количество | Стоимость единицы | Общая стоимость |
|---|---|---|
| 1 | $192.34 | $192.34 |
| 10 | $180.15 | $1801.5 |
| Минимальное количество заказов：1 | ||
