| Тип | Описание |
|---|---|
| Категория | FETs, MOSFETs |
| Производитель | EPC |
| Серия | eGaN® |
| Состояние продукции | Занятый. |
| Упаковочные материалы | Кассеты и свитки (TR) |
| Упаковка / ящик | Die |
| Тип установки | Поверхностная установка |
| Рабочая температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| FET Type | N-Channel |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.7A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 550mOhm @ 100mA, 5V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 80µA |
| Пакеты оборудования для поставщиков | Die |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Vgs (Max) | +6V, -4V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.12 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 14 pF @ 50 V |
| Свойства | Описание |
|---|---|
| Состояние RoHS | ROHS3 Compliant |
| Чувствительность к воде (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Состояние REACH | Reach unaffected |
| ЕЭК | EAR99 |
| Безопасность | 8541.29.0040 |
| Количество | Стоимость единицы | Общая стоимость |
|---|---|---|
| 2500 | $0.52318 | $1307.95 |
| 5000 | $0.49702 | $2485.1 |
| 12500 | $0.47834 | $5979.25 |
| Минимальное количество заказов：2500 | ||
