Тип | Описание |
---|---|
Категория | FETs, MOSFETs |
Производитель | GaNPower |
Серия | - |
Состояние продукции | Занятый. |
Упаковочные материалы | Кассеты и свитки (TR) |
Тип установки | Поверхностная установка |
Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
FET Type | N-Channel |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.7V @ 3.5mA |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V |
Vgs (Max) | +7.5V, -12V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.6 nC @ 6 V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 39 pF @ 500 V |
Свойства | Описание |
---|---|
Состояние RoHS | RoHS Compliant |
Чувствительность к воде (MSL) | 3 (168 Hours) |
Состояние REACH | Reach unaffected |
ЕЭК | 3A001 |
Безопасность | 8541.49.7000 |
Количество | Стоимость единицы | Общая стоимость |
---|---|---|
1 | $2.5 | $2.5 |
Минимальное количество заказов:1 |