| Тип | Описание |
|---|---|
| Категория | FETs, MOSFETs |
| Производитель | GaNPower |
| Серия | - |
| Состояние продукции | Занятый. |
| Упаковочные материалы | Кассеты и свитки (TR) |
| Упаковка / ящик | Die |
| Тип установки | Поверхностная установка |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| FET Type | N-Channel |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 3.5mA |
| Пакеты оборудования для поставщиков | Die |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V |
| Vgs (Max) | +7.5V, -12V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.3 nC @ 6 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 116 pF @ 400 V |
| Свойства | Описание |
|---|---|
| Состояние RoHS | Not applicable |
| Чувствительность к воде (MSL) | Vendor Undefined |
| Состояние REACH | Reach not applicable |
| ЕЭК | EAR99 |
| Безопасность | 8541.29.0095 |
| Количество | Стоимость единицы | Общая стоимость |
|---|---|---|
| 1 | $7.5 | $7.5 |
| Минимальное количество заказов：1 | ||
