| Тип | Описание |
|---|---|
| Категория | FETs, MOSFETs |
| Производитель | GaNPower |
| Серия | - |
| Состояние продукции | Занятый. |
| Упаковочные материалы | Кассеты и свитки (TR) |
| Тип установки | Поверхностная установка |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| FET Type | N-Channel |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.7V @ 3.5mA |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V |
| Vgs (Max) | +7.5V, -12V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.5 nC @ 6 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 105 pF @ 700 V |
| Свойства | Описание |
|---|---|
| Состояние RoHS | RoHS Compliant |
| Чувствительность к воде (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Состояние REACH | Reach unaffected |
| ЕЭК | 3A001 |
| Безопасность | 8541.49.7000 |
| Количество | Стоимость единицы | Общая стоимость |
|---|---|---|
| 1 | $7.5 | $7.5 |
| Минимальное количество заказов：1 | ||
