Тип | Описание |
---|---|
Категория | FETs, MOSFETs |
Производитель | GaNPower |
Серия | - |
Состояние продукции | Занятый. |
Упаковочные материалы | Кассеты и свитки (TR) |
Упаковка / ящик | Die |
Тип установки | Поверхностная установка |
Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
FET Type | N-Channel |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A |
FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | - |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 3.5mA |
Пакеты оборудования для поставщиков | Die |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V |
Vgs (Max) | +7.5V, -12V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.25 nC @ 6 V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 236 pF @ 400 V |
Свойства | Описание |
---|---|
Состояние RoHS | Not applicable |
Чувствительность к воде (MSL) | Vendor Undefined |
Состояние REACH | Reach not applicable |
ЕЭК | EAR99 |
Безопасность | 8541.10.0080 |
Количество | Стоимость единицы | Общая стоимость |
---|---|---|
1 | $22 | $22 |
Минимальное количество заказов:1 |