| Тип | Описание |
|---|---|
| Категория | FETs, MOSFETs |
| Производитель | GE Aerospace |
| Серия | SiC Power |
| Состояние продукции | Занятый. |
| Упаковочные материалы | Box |
| Упаковка / ящик | Module |
| Тип установки | Chassis Mount |
| Configuration | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (Tc) |
| Technology | Silicon Carbide (SiC) |
| Power - Max | 1250W |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 475A |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 29300pF @ 600V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4mOhm @ 475A, 20V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1248nC @ 18V |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 160mA |
| Пакеты оборудования для поставщиков | Module |
| Свойства | Описание |
|---|---|
| Состояние RoHS | RoHS non-compliant |
| Чувствительность к воде (MSL) | Not Applicable |
| Состояние REACH | Reach affected |
| ЕЭК | EAR99 |
| Безопасность | 8541.29.0095 |
