| Тип | Описание |
|---|---|
| Категория | FETs, MOSFETs |
| Производитель | Goford Semiconductor |
| Серия | G |
| Состояние продукции | Занятый. |
| Упаковочные материалы | Кассеты и свитки (TR) |
| Упаковка / ящик | 8-PowerTDFN |
| Тип установки | Поверхностная установка |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Type | N-Channel |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360mOhm @ 5.5A, 10V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 78W (Tc) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Пакеты оборудования для поставщиков | 8-DFN (4.9x5.75) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 901 pF @ 50 V |
| Свойства | Описание |
|---|---|
| Состояние RoHS | ROHS3 Compliant |
| Чувствительность к воде (MSL) | |
| Состояние REACH | Reach unaffected |
| ЕЭК | EAR99 |
| Безопасность |
| Количество | Стоимость единицы | Общая стоимость |
|---|---|---|
| 5000 | $0.72397 | $3619.85 |
| 10000 | $0.7 | $7000 |
| Минимальное количество заказов：5000 | ||
