Тип | Описание |
---|---|
Категория | FETs, MOSFETs |
Производитель | Infineon Technologies |
Серия | OptiMOS™ |
Состояние продукции | Obsolete |
Упаковочные материалы | Кассеты и свитки (TR) |
Упаковка / ящик | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Тип установки | Поверхностная установка |
Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Power - Max | 500mW |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.3A |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 275pF @ 15V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 57mOhm @ 2.3A, 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.6nC @ 5V |
FET Feature | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 11µA |
Пакеты оборудования для поставщиков | PG-TSOP6-6 |
Grade | Automotive |
Qualification | AEC-Q101 |
Свойства | Описание |
---|---|
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant |
Чувствительность к воде (MSL) | 1 (Unlimited) |
Состояние REACH | Reach unaffected |
ЕЭК | EAR99 |
Безопасность | 8541.21.0095 |