Тип | Описание |
---|---|
Категория | FETs, MOSFETs |
Производитель | Infineon Technologies |
Серия | - |
Состояние продукции | Obsolete |
Упаковочные материалы | Б |
Упаковка / ящик | Module |
Тип установки | Chassis Mount |
Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
Рабочая температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Technology | Silicon Carbide (SiC) |
Power - Max | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 800V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 25A, 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 620nC @ 15V |
FET Feature | - |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 10mA |
Пакеты оборудования для поставщиков | AG-EASY1BM-2 |
Свойства | Описание |
---|---|
Состояние RoHS | unknown |
Чувствительность к воде (MSL) | Not Applicable |
Состояние REACH | Reach unaffected |
ЕЭК | EAR99 |
Безопасность | 8541.21.0095 |