| Тип | Описание |
|---|---|
| Категория | FETs, MOSFETs |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Серия | CoolSiC™+ |
| Состояние продукции | Obsolete |
| Упаковочные материалы | Б |
| Упаковка / ящик | Module |
| Тип установки | Chassis Mount |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| Рабочая температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Technology | Silicon Carbide (SiC) |
| Power - Max | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 150A (Tj) |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11000pF @ 800V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5mOhm @ 150A, 15V (Typ) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 372nC @ 15V |
| FET Feature | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.55V @ 60mA |
| Пакеты оборудования для поставщиков | AG-EASY2BM-2 |
| Свойства | Описание |
|---|---|
| Состояние RoHS | ROHS3 Compliant |
| Чувствительность к воде (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Состояние REACH | Reach unaffected |
| ЕЭК | EAR99 |
| Безопасность | 8541.21.0095 |
