Тип | Описание |
---|---|
Категория | Единый FET, MOSFET |
Производитель | IXYS Integrated Circuits Division |
Серия | - |
Состояние продукции | Obsolete |
Упаковочные материалы | Tube |
Упаковка / ящик | TO-243AA |
Тип установки | Поверхностная установка |
Рабочая температура | -55°C ~ 125°C (TJ) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
FET Type | N-Channel |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 360mA (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4Ohm @ 200mA, 0V |
FET Feature | Depletion Mode |
Power Dissipation (Max) | 1.6W (Ta) |
Vgs(th) (Max) @ Id | - |
Пакеты оборудования для поставщиков | SOT-89-3 |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 0V |
Vgs (Max) | ±15V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350 pF @ 25 V |
Свойства | Описание |
---|---|
Состояние RoHS | unknown |
Чувствительность к воде (MSL) | 1 (Unlimited) |
Состояние REACH | Reach unaffected |
ЕЭК | EAR99 |
Безопасность | 8541.29.0095 |