| Тип | Описание |
|---|---|
| Категория | FETs, MOSFETs |
| Производитель | IXYS |
| Серия | - |
| Состояние продукции | Obsolete |
| Упаковочные материалы | Tube |
| Упаковка / ящик | ISOPLUSi5-Pak™ |
| Тип установки | Through Hole |
| Configuration | N and P-Channel, Common Drain |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Power - Max | 89W, 132W |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 54A (Tc), 62A (Tc) |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1370pF @ 25V, 5080pF @ 25V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 38A, 10V, 11mOhm @ 25A, 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 197nC @ 10V, 104nC @ 10V |
| FET Feature | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA, 4.5V @ 250µA |
| Пакеты оборудования для поставщиков | ISOPLUS i4-PAC™ |
| Свойства | Описание |
|---|---|
| Состояние RoHS | unknown |
| Чувствительность к воде (MSL) | |
| Состояние REACH | Reach unaffected |
| ЕЭК | EAR99 |
| Безопасность | 8541.29.0095 |
