| Тип | Описание |
|---|---|
| Категория | Единый FET, MOSFET |
| Производитель | IXYS |
| Серия | HiPerFET™, TrenchT2™ |
| Состояние продукции | Занятый. |
| Упаковочные материалы | Tube |
| Упаковка / ящик | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Тип установки | Поверхностная установка |
| Рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Type | N-Channel |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 130A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.1mOhm @ 65A, 10V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 360W (Tc) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
| Пакеты оборудования для поставщиков | TO-263AA (IXFA) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6600 pF @ 25 V |
| Свойства | Описание |
|---|---|
| Состояние RoHS | ROHS3 Compliant |
| Чувствительность к воде (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Состояние REACH | Reach unaffected |
| ЕЭК | EAR99 |
| Безопасность | 8541.29.0095 |
| Количество | Стоимость единицы | Общая стоимость |
|---|---|---|
| 1 | $5.38 | $5.38 |
| 10 | $4.517 | $45.17 |
| 100 | $3.6544 | $365.44 |
| 500 | $3.24832 | $1624.16 |
| 1000 | $2.78138 | $2781.38 |
| 2000 | $2.61896 | $5237.92 |
| Минимальное количество заказов：1 | ||
