Тип | Описание |
---|---|
Категория | Единый FET, MOSFET |
Производитель | IXYS |
Серия | Ultra X2 |
Состояние продукции | Занятый. |
Упаковочные материалы | Tube |
Упаковка / ящик | TO-247-3 |
Тип установки | Through Hole |
Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
FET Type | N-Channel |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 48A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 68mOhm @ 24A, 10V |
FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 660W (Tc) |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 4mA |
Пакеты оборудования для поставщиков | TO-247 (IXTH) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 77 nC @ 10 V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4420 pF @ 25 V |
Свойства | Описание |
---|---|
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant |
Чувствительность к воде (MSL) | 1 (Unlimited) |
Состояние REACH | Reach unaffected |
ЕЭК | EAR99 |
Безопасность | 8541.29.0095 |
Количество | Стоимость единицы | Общая стоимость |
---|---|---|
1 | $10.16 | $10.16 |
10 | $9.182 | $91.82 |
100 | $7.602 | $760.2 |
500 | $6.61972 | $3309.86 |
1000 | $5.76556 | $5765.56 |
Минимальное количество заказов:1 |