Тип | Описание |
---|---|
Категория | Единый FET, MOSFET |
Производитель | NTE Electronics, Inc |
Серия | - |
Состояние продукции | Занятый. |
Упаковочные материалы | Bag |
Упаковка / ящик | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Тип установки | Through Hole |
Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
FET Type | N-Channel |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 250mA (Tj) |
FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 350mW (Ta) |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Пакеты оборудования для поставщиков | TO-92 |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 60 pF @ 25 V |
Свойства | Описание |
---|---|
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant |
Чувствительность к воде (MSL) | 1 (Unlimited) |
Состояние REACH | Reach unknown |
ЕЭК | EAR99 |
Безопасность | 8541.21.0095 |