| Тип | Описание |
|---|---|
| Категория | Единый биполярный транзистор |
| Производитель | NXP USA Inc. |
| Серия | - |
| Состояние продукции | Obsolete |
| Упаковочные материалы | Кассеты и свитки (TR) |
| Упаковка / ящик | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Тип установки | Поверхностная установка |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 5V |
| Пакеты оборудования для поставщиков | SMT3; MPAK |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
| Power - Max | 250 mW |
| Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
| Свойства | Описание |
|---|---|
| Состояние RoHS | ROHS3 Compliant |
| Чувствительность к воде (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Состояние REACH | Reach unaffected |
| ЕЭК | EAR99 |
| Безопасность | 8541.21.0095 |
