Тип | Описание |
---|---|
Категория | Единый биполярный транзистор |
Производитель | NXP USA Inc. |
Серия | - |
Состояние продукции | Obsolete |
Упаковочные материалы | Кассеты и свитки (TR) |
Упаковка / ящик | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Тип установки | Поверхностная установка |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V |
Пакеты оборудования для поставщиков | SMT3; MPAK |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Power - Max | 250 mW |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 4.7 kOhms |
Свойства | Описание |
---|---|
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant |
Чувствительность к воде (MSL) | 1 (Unlimited) |
Состояние REACH | Reach unaffected |
ЕЭК | EAR99 |
Безопасность | 8541.21.0095 |