| Тип | Описание |
|---|---|
| Категория | Единый биполярный транзистор |
| Производитель | NXP USA Inc. |
| Серия | - |
| Состояние продукции | Obsolete |
| Упаковочные материалы | Кассеты и свитки (TR) |
| Упаковка / ящик | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Тип установки | Поверхностная установка |
| Transistor Type | PNP + Diode (Isolated) |
| Рабочая температура | - |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 390mV @ 300mA, 3A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 1A, 2V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Пакеты оборудования для поставщиков | 8-SO |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
| Power - Max | 1 W |
| Свойства | Описание |
|---|---|
| Состояние RoHS | ROHS3 Compliant |
| Чувствительность к воде (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Состояние REACH | Reach unaffected |
| ЕЭК | EAR99 |
| Безопасность | 8541.29.0075 |
