,TO-226_straightlead.jpg)
| Тип | Описание |
|---|---|
| Категория | Единый биполярный транзистор |
| Производитель | NXP USA Inc. |
| Серия | - |
| Состояние продукции | Obsolete |
| Упаковочные материалы | Tape & Box (TB) |
| Упаковка / ящик | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Тип установки | Through Hole |
| Transistor Type | PNP |
| Рабочая температура | 150°C (TJ) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 50mA, 500mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
| Frequency - Transition | 200MHz |
| Пакеты оборудования для поставщиков | TO-92-3 |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600 mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
| Power - Max | 500 mW |
| Свойства | Описание |
|---|---|
| Состояние RoHS | ROHS3 Compliant |
| Чувствительность к воде (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Состояние REACH | Reach unaffected |
| ЕЭК | EAR99 |
| Безопасность | 8541.21.0075 |
