| Тип | Описание |
|---|---|
| Категория | FETs, MOSFETs |
| Производитель | onsemi |
| Серия | - |
| Состояние продукции | Obsolete |
| Упаковочные материалы | Кассеты и свитки (TR) |
| Упаковка / ящик | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Тип установки | Поверхностная установка |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Power - Max | 700mW |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 220mA |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9.5pF @ 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4Ohm @ 400mA, 4.5V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.7nC @ 4.5V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Пакеты оборудования для поставщиков | SuperSOT™-6 |
| Свойства | Описание |
|---|---|
| Состояние RoHS | unknown |
| Чувствительность к воде (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Состояние REACH | Reach unaffected |
| ЕЭК | EAR99 |
| Безопасность | 8541.21.0095 |
