Тип | Описание |
---|---|
Категория | FETs, MOSFETs |
Производитель | onsemi |
Серия | PowerTrench® |
Состояние продукции | Obsolete |
Упаковочные материалы | Большинство |
Упаковка / ящик | 6-VDFN Exposed Pad |
Тип установки | Поверхностная установка |
Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Power - Max | 650mW |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.9A |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 220pF @ 15V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 123mOhm @ 2.9A, 4.5V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3nC @ 4.5V |
FET Feature | Logic Level Gate |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Пакеты оборудования для поставщиков | 6-MicroFET (2x2) |
Свойства | Описание |
---|---|
Состояние RoHS | unknown |
Чувствительность к воде (MSL) | Not Applicable |
Состояние REACH | Reach unaffected |
ЕЭК | EAR99 |
Безопасность | 8541.21.0095 |