| Тип | Описание |
|---|---|
| Категория | FETs, MOSFETs |
| Производитель | onsemi |
| Серия | - |
| Состояние продукции | Obsolete |
| Упаковочные материалы | Кассеты и свитки (TR) |
| Упаковка / ящик | 8-WDFN Exposed Pad |
| Тип установки | Поверхностная установка |
| Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Power - Max | 800mW, 810mW |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.5A, 6.3A |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 605pF @ 15V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17.4mOhm @ 9A, 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Пакеты оборудования для поставщиков | 8-WDFN (3x3) |
| Свойства | Описание |
|---|---|
| Состояние RoHS | ROHS3 Compliant |
| Чувствительность к воде (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Состояние REACH | Reach unaffected |
| ЕЭК | EAR99 |
| Безопасность | 8541.21.0095 |
