Тип | Описание |
---|---|
Категория | FETs, MOSFETs |
Производитель | Renesas Electronics Corporation |
Серия | - |
Состояние продукции | Obsolete |
Упаковочные материалы | Большинство |
Упаковка / ящик | 20-UFLGA, CSP |
Тип установки | Поверхностная установка |
Configuration | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Power - Max | 2.5W (Ta) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 5.5V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 630pF @ 5.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3mOhm @ 6A, 4.5V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 3.5V |
FET Feature | - |
Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Пакеты оборудования для поставщиков | 20-WLCSP (2.48x1.17) |
Свойства | Описание |
---|---|
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant |
Чувствительность к воде (MSL) | 1 (Unlimited) |
Состояние REACH | Reach unknown |
ЕЭК | EAR99 |
Безопасность | 8541.29.0095 |