Тип | Описание |
---|---|
Категория | Единый FET, MOSFET |
Производитель | Rohm Semiconductor |
Серия | - |
Состояние продукции | Занятый. |
Упаковочные материалы | Большинство |
Упаковка / ящик | TO-220-3 Full Pack |
Тип установки | Through Hole |
Рабочая температура | 150°C (TJ) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
FET Type | N-Channel |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.36Ohm @ 2.5A, 10V |
FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 2.23W (Ta), 30W (Tc) |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 1mA |
Пакеты оборудования для поставщиков | TO-220FM |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.5 nC @ 10 V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350 pF @ 25 V |
Свойства | Описание |
---|---|
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant |
Чувствительность к воде (MSL) | 1 (Unlimited) |
Состояние REACH | Reach unaffected |
ЕЭК | EAR99 |
Безопасность | 8541.29.0095 |
Количество | Стоимость единицы | Общая стоимость |
---|---|---|
1 | $1.25 | $1.25 |
10 | $1.117 | $11.17 |
100 | $0.8711 | $87.11 |
500 | $0.71962 | $359.81 |
1000 | $0.56812 | $568.12 |
2000 | $0.53025 | $1060.5 |
5000 | $0.50374 | $2518.7 |
10000 | $0.4848 | $4848 |
Минимальное количество заказов:1 |