| Тип | Описание |
|---|---|
| Категория | Единый FET, MOSFET |
| Производитель | Rohm Semiconductor |
| Серия | - |
| Состояние продукции | Занятый. |
| Упаковочные материалы | Кассеты и свитки (TR) |
| Упаковка / ящик | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Тип установки | Поверхностная установка |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Type | N-Channel |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 182mOhm @ 5A, 10V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 85W (Tc) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Пакеты оборудования для поставщиков | TO-252 |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 190 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 52 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2000 pF @ 25 V |
| Свойства | Описание |
|---|---|
| Состояние RoHS | ROHS3 Compliant |
| Чувствительность к воде (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Состояние REACH | Reach unaffected |
| ЕЭК | EAR99 |
| Безопасность | 8541.29.0095 |
| Количество | Стоимость единицы | Общая стоимость |
|---|---|---|
| 2500 | $0.97389 | $2434.725 |
| 5000 | $0.93728 | $4686.4 |
| Минимальное количество заказов：2500 | ||
