Тип | Описание |
---|---|
Категория | Единый FET, MOSFET |
Производитель | Rohm Semiconductor |
Серия | - |
Состояние продукции | Занятый. |
Упаковочные материалы | Кассеты и свитки (TR) |
Упаковка / ящик | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Тип установки | Поверхностная установка |
Рабочая температура | 150°C (TJ) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
FET Type | N-Channel |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 300mA (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1Ohm @ 300mA, 10V |
FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 200mW (Ta) |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Пакеты оборудования для поставщиков | SMT3 |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6 nC @ 10 V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 33 pF @ 10 V |
Свойства | Описание |
---|---|
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant |
Чувствительность к воде (MSL) | 1 (Unlimited) |
Состояние REACH | Reach unaffected |
ЕЭК | EAR99 |
Безопасность | 8541.21.0095 |
Количество | Стоимость единицы | Общая стоимость |
---|---|---|
3000 | $0.12329 | $369.87 |
6000 | $0.11817 | $709.02 |
9000 | $0.10635 | $957.15 |
30000 | $0.10478 | $3143.4 |
75000 | $0.09847 | $7385.25 |
Минимальное количество заказов:3000 |