Тип | Описание |
---|---|
Категория | Единый FET, MOSFET |
Производитель | Rohm Semiconductor |
Серия | - |
Состояние продукции | Занятый. |
Упаковочные материалы | Кассеты и свитки (TR) |
Упаковка / ящик | 8-PowerTDFN |
Тип установки | Поверхностная установка |
Рабочая температура | 150°C (TJ) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
FET Type | N-Channel |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.6mOhm @ 15A, 10V |
FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 3W (Ta), 25W (Tc) |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Пакеты оборудования для поставщиков | 8-HSOP |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 930 pF @ 20 V |
Свойства | Описание |
---|---|
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant |
Чувствительность к воде (MSL) | 1 (Unlimited) |
Состояние REACH | Reach unaffected |
ЕЭК | EAR99 |
Безопасность | 8541.29.0095 |
Количество | Стоимость единицы | Общая стоимость |
---|---|---|
2500 | $0.39592 | $989.8 |
5000 | $0.37612 | $1880.6 |
12500 | $0.36198 | $4524.75 |
25000 | $0.35067 | $8766.75 |
Минимальное количество заказов:2500 |