| Тип | Описание |
|---|---|
| Категория | Единый FET, MOSFET |
| Производитель | Rohm Semiconductor |
| Серия | - |
| Состояние продукции | Занятый. |
| Упаковочные материалы | Tube |
| Упаковка / ящик | TO-247-3 |
| Тип установки | Through Hole |
| Рабочая температура | 175°C (TJ) |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| FET Type | N-Channel |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 105A (Tj) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.9mOhm @ 58A, 18V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 312W |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.8V @ 30.8mA |
| Пакеты оборудования для поставщиков | TO-247N |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| Vgs (Max) | +21V, -4V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 750 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 170 nC @ 18 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4580 pF @ 500 V |
| Свойства | Описание |
|---|---|
| Состояние RoHS | unknown |
| Чувствительность к воде (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Состояние REACH | Reach unaffected |
| ЕЭК | EAR99 |
| Безопасность | 8541.29.0095 |
| Количество | Стоимость единицы | Общая стоимость |
|---|---|---|
| 1 | $36.33 | $36.33 |
| 10 | $32.279 | $322.79 |
| 100 | $28.232 | $2823.2 |
| Минимальное количество заказов：1 | ||
