Тип | Описание |
---|---|
Категория | FETs, MOSFETs |
Производитель | Rohm Semiconductor |
Серия | - |
Состояние продукции | Занятый. |
Упаковочные материалы | Кассеты и свитки (TR) |
Упаковка / ящик | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Тип установки | Поверхностная установка |
Configuration | N and P-Channel |
Рабочая температура | 150°C (TJ) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Power - Max | 2W |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Ta), 2.5A (Ta) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 610pF @ 10V, 1550pF @ 25V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170mOhm @ 3A, 10V, 290mOhm @ 2.5A, 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.5nC @ 5V, 12.5nC @ 5V |
FET Feature | - |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Пакеты оборудования для поставщиков | 8-SOP |
Grade | Automotive |
Qualification | AEC-Q101 |
Свойства | Описание |
---|---|
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant |
Чувствительность к воде (MSL) | 1 (Unlimited) |
Состояние REACH | Reach unaffected |
ЕЭК | EAR99 |
Безопасность | 8541.29.0095 |