| Тип | Описание |
|---|---|
| Категория | FETs, MOSFETs |
| Производитель | SemiQ |
| Серия | - |
| Состояние продукции | Занятый. |
| Упаковочные материалы | Tube |
| Упаковка / ящик | TO-247-3 |
| Тип установки | Through Hole |
| Рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| FET Type | N-Channel |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 20A, 20V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 188W (Tc) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 10mA |
| Пакеты оборудования для поставщиков | TO-247-3 |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| Vgs (Max) | +25V, -10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 58 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1377 pF @ 1000 V |
| Свойства | Описание |
|---|---|
| Состояние RoHS | unknown |
| Чувствительность к воде (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Состояние REACH | Reach unknown |
| ЕЭК | EAR99 |
| Безопасность | 8541.29.0095 |
| Количество | Стоимость единицы | Общая стоимость |
|---|---|---|
| 1 | $11.42 | $11.42 |
| 10 | $9.787 | $97.87 |
| 100 | $8.1558 | $815.58 |
| 500 | $7.19624 | $3598.12 |
| 1000 | $6.47662 | $6476.62 |
| Минимальное количество заказов：1 | ||
