| Тип | Описание |
|---|---|
| Категория | FETs, MOSFETs |
| Производитель | Tagore Technology |
| Серия | - |
| Состояние продукции | Занятый. |
| Упаковочные материалы | Б |
| Упаковка / ящик | 30-PowerWFQFN |
| Тип установки | Поверхностная установка |
| Configuration | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Рабочая температура | - |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Power - Max | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| FET Feature | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - |
| Пакеты оборудования для поставщиков | 30-QFN (8x10) |
| Свойства | Описание |
|---|---|
| Состояние RoHS | ROHS3 Compliant |
| Чувствительность к воде (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Состояние REACH | Reach unknown |
| ЕЭК | |
| Безопасность |
| Количество | Стоимость единицы | Общая стоимость |
|---|---|---|
| 1 | $4.06 | $4.06 |
| 10 | $3.51 | $35.1 |
| 100 | $2.9835 | $298.35 |
| 500 | $2.48002 | $1240.01 |
| 3000 | $2.43001 | $7290.03 |
| Минимальное количество заказов：1 | ||
