Тип | Описание |
---|---|
Категория | Единый FET, MOSFET |
Производитель | Taiwan Semiconductor Corporation |
Серия | - |
Состояние продукции | Not For New Designs |
Упаковочные материалы | Tube |
Упаковка / ящик | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Тип установки | Through Hole |
Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
FET Type | N-Channel |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 1.2A, 10V |
FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 36.8W (Tc) |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Пакеты оборудования для поставщиков | TO-251 (IPAK) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.6 nC @ 10 V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 315 pF @ 100 V |
Свойства | Описание |
---|---|
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant |
Чувствительность к воде (MSL) | 1 (Unlimited) |
Состояние REACH | Reach unaffected |
ЕЭК | EAR99 |
Безопасность | 8541.29.0095 |
Количество | Стоимость единицы | Общая стоимость |
---|---|---|
1 | $1.56 | $1.56 |
10 | $1.276 | $12.76 |
100 | $0.9922 | $99.22 |
500 | $0.84102 | $420.51 |
1000 | $0.68509 | $685.09 |
2000 | $0.64493 | $1289.86 |
5000 | $0.61422 | $3071.1 |
10000 | $0.58587 | $5858.7 |
Минимальное количество заказов:1 |