| Тип | Описание |
|---|---|
| Категория | Единый FET, MOSFET |
| Производитель | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Серия | - |
| Состояние продукции | Not For New Designs |
| Упаковочные материалы | Tube |
| Упаковка / ящик | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| Тип установки | Through Hole |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Type | N-Channel |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 3.3A, 10V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Пакеты оборудования для поставщиков | ITO-220AB |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 700 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 981 pF @ 100 V |
| Свойства | Описание |
|---|---|
| Состояние RoHS | ROHS3 Compliant |
| Чувствительность к воде (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Состояние REACH | Reach unaffected |
| ЕЭК | EAR99 |
| Безопасность | 8541.29.0095 |
| Количество | Стоимость единицы | Общая стоимость |
|---|---|---|
| 1 | $3.6 | $3.6 |
| 10 | $3.019 | $30.19 |
| 100 | $2.4419 | $244.19 |
| 500 | $2.17062 | $1085.31 |
| 1000 | $1.85859 | $1858.59 |
| 2000 | $1.75006 | $3500.12 |
| 5000 | $1.679 | $8395 |
| Минимальное количество заказов：1 | ||
.jpg)
