| Тип | Описание |
|---|---|
| Категория | Единый FET, MOSFET |
| Производитель | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Серия | - |
| Состояние продукции | Занятый. |
| Упаковочные материалы | Tube |
| Упаковка / ящик | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| Тип установки | Through Hole |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Type | N-Channel |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.35Ohm @ 1.8A, 10V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 250µA |
| Пакеты оборудования для поставщиков | ITO-220 |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1124 pF @ 50 V |
| Свойства | Описание |
|---|---|
| Состояние RoHS | ROHS3 Compliant |
| Чувствительность к воде (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Состояние REACH | Reach unaffected |
| ЕЭК | EAR99 |
| Безопасность | 8541.29.0095 |
| Количество | Стоимость единицы | Общая стоимость |
|---|---|---|
| 1 | $3.24 | $3.24 |
| 10 | $2.725 | $27.25 |
| 100 | $2.2041 | $220.41 |
| 500 | $1.95924 | $979.62 |
| 1000 | $1.6776 | $1677.6 |
| 2000 | $1.57964 | $3159.28 |
| 5000 | $1.5155 | $7577.5 |
| Минимальное количество заказов：1 | ||
.jpg)
