Тип | Описание |
---|---|
Категория | Единый FET, MOSFET |
Производитель | Taiwan Semiconductor Corporation |
Серия | - |
Состояние продукции | Not For New Designs |
Упаковочные материалы | Tube |
Упаковка / ящик | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Тип установки | Through Hole |
Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
FET Type | N-Channel |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950mOhm @ 2A, 10V |
FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 25W (Tc) |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Пакеты оборудования для поставщиков | ITO-220AB |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19.6 nC @ 10 V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 691 pF @ 100 V |
Свойства | Описание |
---|---|
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant |
Чувствительность к воде (MSL) | 1 (Unlimited) |
Состояние REACH | Reach unaffected |
ЕЭК | EAR99 |
Безопасность | 8541.29.0095 |
Количество | Стоимость единицы | Общая стоимость |
---|---|---|
1 | $3.22 | $3.22 |
10 | $2.701 | $27.01 |
100 | $2.1852 | $218.52 |
500 | $1.94244 | $971.22 |
1000 | $1.66321 | $1663.21 |
2000 | $1.56609 | $3132.18 |
5000 | $1.5025 | $7512.5 |
Минимальное количество заказов:1 |