Тип | Описание |
---|---|
Категория | JFETs |
Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
Серия | - |
Состояние продукции | Занятый. |
Упаковочные материалы | Кассеты и свитки (TR) |
Упаковка / ящик | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Тип установки | Поверхностная установка |
Рабочая температура | 125°C (TJ) |
FET Type | N-Channel |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8.2pF @ 10V |
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 50 V |
Current Drain (Id) - Max | 6.5 mA |
Пакеты оборудования для поставщиков | S-Mini |
Power - Max | 100 mW |
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id | 400 mV @ 100 nA |
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 300 µA @ 10 V |
Свойства | Описание |
---|---|
Состояние RoHS | RoHS Compliant |
Чувствительность к воде (MSL) | 1 (Unlimited) |
Состояние REACH | Reach unknown |
ЕЭК | EAR99 |
Безопасность | 8541.21.0095 |
Количество | Стоимость единицы | Общая стоимость |
---|---|---|
3000 | $0.13499 | $404.97 |
6000 | $0.12681 | $760.86 |
15000 | $0.11862 | $1779.3 |
30000 | $0.10881 | $3264.3 |
75000 | $0.10472 | $7854 |
Минимальное количество заказов:3000 |