| Тип | Описание |
|---|---|
| Категория | FETs, MOSFETs |
| Производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Серия | U-MOSIII |
| Состояние продукции | Занятый. |
| Упаковочные материалы | Кассеты и свитки (TR) |
| Упаковка / ящик | SOT-23-3 Flat Leads |
| Тип установки | Поверхностная установка |
| Рабочая температура | 150°C (TJ) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Type | N-Channel |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.5A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 126mOhm @ 1A, 4V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Пакеты оборудования для поставщиков | SOT-23F |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.5 nC @ 4 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 123 pF @ 15 V |
| Свойства | Описание |
|---|---|
| Состояние RoHS | ROHS3 Compliant |
| Чувствительность к воде (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Состояние REACH | Reach unknown |
| ЕЭК | EAR99 |
| Безопасность | 8541.29.0095 |
| Количество | Стоимость единицы | Общая стоимость |
|---|---|---|
| 3000 | $0.0909 | $272.7 |
| 6000 | $0.08585 | $515.1 |
| 15000 | $0.07827 | $1174.05 |
| 30000 | $0.07323 | $2196.9 |
| 75000 | $0.06565 | $4923.75 |
| 150000 | $0.06313 | $9469.5 |
| Минимальное количество заказов：3000 | ||
