Тип | Описание |
---|---|
Категория | FETs, MOSFETs |
Производитель | Transphorm |
Серия | SuperGaN® |
Состояние продукции | Занятый. |
Упаковочные материалы | Tube |
Упаковка / ящик | TO-247-3 |
Тип установки | Through Hole |
Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
FET Type | N-Channel |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 34A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 22A, 10V |
FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 119W (Tc) |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.8V @ 700µA |
Пакеты оборудования для поставщиков | TO-247-3 |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 10 V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1000 pF @ 400 V |
Свойства | Описание |
---|---|
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant |
Чувствительность к воде (MSL) | 3 (168 Hours) |
Состояние REACH | Reach unknown |
ЕЭК | EAR99 |
Безопасность | 8541.29.0095 |
Количество | Стоимость единицы | Общая стоимость |
---|---|---|
1 | $14.36 | $14.36 |
10 | $12.65 | $126.5 |
100 | $10.9403 | $1094.03 |
500 | $9.91466 | $4957.33 |
1000 | $9.09414 | $9094.14 |
Минимальное количество заказов:1 |