Тип | Описание |
---|---|
Категория | FETs, MOSFETs |
Производитель | Transphorm |
Серия | - |
Состояние продукции | Занятый. |
Упаковочные материалы | режущая лента (КТ) |
Упаковка / ящик | 3-PowerDFN |
Тип установки | Поверхностная установка |
Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
FET Type | N-Channel |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.5A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 312mOhm @ 5A, 8V |
FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 21W (Tc) |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.6V @ 500µA |
Пакеты оборудования для поставщиков | 3-PQFN (8x8) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 8V |
Vgs (Max) | ±18V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.6 nC @ 8 V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 760 pF @ 400 V |
Свойства | Описание |
---|---|
Состояние RoHS | unknown |
Чувствительность к воде (MSL) | 3 (168 Hours) |
Состояние REACH | Reach unknown |
ЕЭК | EAR99 |
Безопасность | 8541.29.0095 |
Количество | Стоимость единицы | Общая стоимость |
---|---|---|
1 | $4.58 | $4.58 |
10 | $3.843 | $38.43 |
100 | $3.1088 | $310.88 |
500 | $2.76336 | $1381.68 |
1000 | $2.36613 | $2366.13 |
Минимальное количество заказов:1 |