| Тип | Описание |
|---|---|
| Категория | FETs, MOSFETs |
| Производитель | Transphorm |
| Серия | - |
| Состояние продукции | Not For New Designs |
| Упаковочные материалы | Tube |
| Упаковка / ящик | TO-220-3 |
| Тип установки | Through Hole |
| Рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| FET Type | N-Channel |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 11A, 8V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 96W (Tc) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.6V @ 500µA |
| Пакеты оборудования для поставщиков | TO-220AB |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs (Max) | ±18V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.3 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 760 pF @ 480 V |
| Свойства | Описание |
|---|---|
| Состояние RoHS | RoHS Compliant |
| Чувствительность к воде (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Состояние REACH | Reach unknown |
| ЕЭК | EAR99 |
| Безопасность | 8541.29.0095 |
| Количество | Стоимость единицы | Общая стоимость |
|---|---|---|
| 1 | $9.52 | $9.52 |
| 10 | $8.599 | $85.99 |
| 100 | $7.1193 | $711.93 |
| 500 | $6.19938 | $3099.69 |
| 1000 | $5.39946 | $5399.46 |
| Минимальное количество заказов：1 | ||
