Тип | Описание |
---|---|
Категория | FETs, MOSFETs |
Производитель | Vishay Siliconix |
Серия | TrenchFET® |
Состояние продукции | Obsolete |
Упаковочные материалы | Кассеты и свитки (TR) |
Упаковка / ящик | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Тип установки | Поверхностная установка |
Configuration | 2 N-Channel (Dual) |
Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Power - Max | 2.8W |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 415pF @ 13V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 7.3A, 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
FET Feature | Logic Level Gate |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Пакеты оборудования для поставщиков | 8-SOIC |
Свойства | Описание |
---|---|
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant |
Чувствительность к воде (MSL) | 1 (Unlimited) |
Состояние REACH | Reach unknown |
ЕЭК | EAR99 |
Безопасность | 8541.29.0095 |