Тип | Описание |
---|---|
Категория | Единый FET, MOSFET |
Производитель | Wolfspeed, Inc. |
Серия | C3M™ |
Состояние продукции | Занятый. |
Упаковочные материалы | Tube |
Упаковка / ящик | TO-247-4 |
Тип установки | Through Hole |
Рабочая температура | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
FET Type | N-Channel |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 115A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22.3mOhm @ 75A, 15V |
FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 556W (Tc) |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.6V @ 23mA |
Пакеты оборудования для поставщиков | TO-247-4L |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
Vgs (Max) | +15V, -4V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 211 nC @ 15 V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6085 pF @ 1000 V |
Свойства | Описание |
---|---|
Состояние RoHS | RoHS Compliant |
Чувствительность к воде (MSL) | 1 (Unlimited) |
Состояние REACH | Reach unknown |
ЕЭК | EAR99 |
Безопасность | 8541.29.0095 |
Количество | Стоимость единицы | Общая стоимость |
---|---|---|
1 | $91.16 | $91.16 |
10 | $83.219 | $832.19 |
100 | $75.2797 | $7527.97 |
Минимальное количество заказов:1 |