| Тип | Описание |
|---|---|
| Категория | FETs, MOSFETs |
| Производитель | YAGEO XSEMI |
| Серия | XP10NA1R5 |
| Состояние продукции | Занятый. |
| Упаковочные материалы | Кассеты и свитки (TR) |
| Упаковка / ящик | 8-PowerSFN |
| Тип установки | Поверхностная установка |
| Рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Type | N-Channel |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 300A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5mOhm @ 100A, 10V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 3.75W (Ta), 333W (Tc) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Пакеты оборудования для поставщиков | TOLL |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 304 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 16960 pF @ 80 V |
| Свойства | Описание |
|---|---|
| Состояние RoHS | ROHS3 Compliant |
| Чувствительность к воде (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Состояние REACH | Reach unknown |
| ЕЭК | EAR99 |
| Безопасность | 8541.29.0095 |
| Количество | Стоимость единицы | Общая стоимость |
|---|---|---|
| 2000 | $9.4085 | $18817 |
| Минимальное количество заказов：2000 | ||
