Тип | Описание |
---|---|
Категория | Единый FET, MOSFET |
Производитель | YAGEO XSEMI |
Серия | XP2N075E |
Состояние продукции | Занятый. |
Упаковочные материалы | Кассеты и свитки (TR) |
Упаковка / ящик | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Тип установки | Поверхностная установка |
Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
FET Type | N-Channel |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.5A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75mOhm @ 3.5A, 4.5V |
FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 1.25W (Ta) |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Пакеты оборудования для поставщиков | SOT-23 |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.4 nC @ 4.5 V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 832 pF @ 10 V |
Свойства | Описание |
---|---|
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant |
Чувствительность к воде (MSL) | 1 (Unlimited) |
Состояние REACH | Reach unknown |
ЕЭК | |
Безопасность |
Количество | Стоимость единицы | Общая стоимость |
---|---|---|
3000 | $0.16089 | $482.67 |
6000 | $0.15271 | $916.26 |
9000 | $0.1418 | $1276.2 |
30000 | $0.13853 | $4155.9 |
Минимальное количество заказов:3000 |