JFETs - Дистрибьютор электронных компонентов - Страницы 266

Производитель

Panasonic Electronic Components

National Semiconductor

Renesas Electronics Corporation

Diodes Incorporated

Microchip Technology

Toshiba Semiconductor and Storage

Microsemi Corporation

Texas Instruments

Infineon Technologies

Central Semiconductor Corp

Nisshinbo Micro Devices Inc.

Rochester Electronics, LLC

Qorvo

NTE Electronics, Inc

Solid State Inc.

Linear Integrated Systems, Inc.

InterFET

NTE Electronics, Inc

Intersil

Precision Monolithics

Harris Corporation

Fairchild Semiconductor

NEC Corporation

Sanyo

Linear Technology

Advanced Micro Devices

Burr Brown

Motorola

продукты

266 / 268 Страницы，Всего 3207 Данные Предыдущая страница | Следующая страница

Номер запчасти	Производитель	Описание	Запасы	Количество	Упаковка	Статус	Подробности
TL071IPE4	Texas Instruments	IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8DIP	5402	RFQ	Bulk	Active	Подробности
TL062BCPE4	Texas Instruments	IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8DIP	4407	RFQ	Bulk	Active	Подробности
TL064CNE4	Texas Instruments	IC OPAMP JFET 4 CIRCUIT 14DIP	1792	RFQ	Bulk	Active	Подробности
OPA137UE4	Texas Instruments	IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8SOIC	6420	RFQ	Bulk	Active	Подробности
J176_D74Z	Fairchild Semiconductor	JFET P-CH 30V TO92-3	9925	RFQ	Bulk	Active	Подробности
TLE2062AMJG	Texas Instruments	IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8CDIP	5489	RFQ	Bulk	Active	Подробности
TLE2161ACDR	Texas Instruments	IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8SOIC	5960	RFQ	Tube	Active	Подробности
TLE2161CDR	Texas Instruments	IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8SOIC	5815	RFQ	Tube	Active	Подробности
TL051ACDR	Texas Instruments	IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8SOIC	1543	RFQ	Tube	Active	Подробности
SMPJ110TR	InterFET	JFET N-Channel -25V Low Noise	1455	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Подробности
IFN202ST3TR	InterFET	JFET N-Channel -40V Low Ciss	7957	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Подробности
SMP4220A	InterFET	JFET N-Channel -30V Low Ciss	6146	RFQ	Strip	Active	Подробности

266 / 268 Страницы，Всего 3207 Данные

JFETs

Транзисторы с эффектом поля (JFET) являются устройствами, используемыми в качестве электронных переключателей управления, усилителей или сопротивления сжатия. Разница потенциала, наложенная на соответствующий полюс между полем и источником, увеличивает сопротивление току, что означает, что меньше тока будет течь в канаве между полем источника и полем утечки. Поскольку заряд течет через полупроводниковые каналы между источниками и терминами утечки, JFETs не нуждаются в смещенном токе.